삼성전자가 올 하반기 반도체 파운드리(위탁생산) 사업에서 '5나노미터(㎚·10억분의 1m)' 2세대와 3세대 제품 동시 양산을 추진하며 승부수를 건다는 전략이다.
18일 관련 업계에 따르면 화성 소재 파운드리 전용 생산라인인 'V1 라인'에서 EUV(극자외선) 기반의 5나노 1세대 제품을 양산해온 삼성전자 파운드리사업부는 올 하반기에 5나노 2세대와 3세대 공정 제품을 동시 양산하는 계획을 세우고 막바지 연구개발과 라인 테스트를 진행 중인 것으로 전해졌다.
삼성전자는 화성 V1 라인에서 5나노 1세대 공정 수율을 향상시키는 데 주력하는 한편 후속 선단공정인 5나노 2세대와 3세대 개발도 막바지 단계에 접어든 것으로 알려졌다.
이는 지난해 하반기부터 공급을 시작한 5나노 1세대 제품의 램프업(Ramp-up)을 진행하는 동시에 선단공정 기술 경쟁력을 끌어올리기 위한 목적으로 풀이된다. 이를 위해 삼성전자는 지난해 중순부터 10조원대 투자를 진행하고 있는 평택캠퍼스의 파운드리 전용라인 가동 시기도 올 상반기로 앞당길 방침이다.
새로운 공정으로 생산되는 제품으로는 삼성전자 시스템LSI사업부가 개발한 스마트폰용 AP(애플리케이션프로세서) '엑시노스1080'과 '엑시노스2100'이 있고 퀄컴의 5G 모뎀 통합 AP '스냅드래곤888'도 있다.
현재까지 반도체 업계에선 삼성전자가 5나노 후속 공정으로 생산하는 제품이 어느 업체 물량인지 확인되지는 않고 있다. 최근 삼성전자는 5나노보다 한 단계 위로 평가되는 4나노 공정에서 퀄컴의 5G 모뎀칩 'X65' 시리즈도 수주한 것으로 추정된다.
이는 최근 글로벌 시장에서 자동차, 모바일 등 여러 분야에서의 반도체 공급부족에 따른 파운드리 초호황을 감안한 조치로 풀이된다.
지난해 삼성전자의 반도체 설비 투자 전체 규모는 32조9000억원으로 전년 대비 45.8% 증가했다. 삼성 총수인 이재용 부회장도 "어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰선 안 된다"고 지속적으로 강조해왔다.
[위키리크스한국= 임준혁 기자]
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