SK하이닉스, 세계 최초 고용량·고성능 'HBM3' 개발
2023-04-20 추예성 기자
SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램 'HBM3' 신제품을 개발하며 기술적 한계를 넘어섰다.
20일 SK하이닉스에 따르면, 회사는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층에 최고 용량인 24GB를 구현한 HBM3 신제품을 개발했다. 현재 제품 성능 검증을 위해 고객사에 샘플을 제공했다.
SK하이닉스는 "당사는 지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다"고 말했다.
SK하이닉스 기술진은 신제품에 어드밴스드 MR-MUF와 TSV 기술을 삽입했다. 회사는 어드밴스트 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 안정성을 강화했다고 전했다.
또 회사는 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 올려 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 만들 수 있었다고 밝혔다.
SK하이닉스의 최신 규격인 HBM3는 많은 양의 데이터를 빠르게 처리하는 데 최적으로 평가를 받고 있는 것으로 전해졌다. 이로인해 빅테크 기업의 수요가 점차 늘어나고 있다.
SK하이닉스 홍상후 부사장은 "당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"며 "상반기 내 이런 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 강조했다.
[위키리크스한국=추예성 기자]