삼성전자가 200단이 넘는 고층 낸드플래시 반도체 양산에 돌입했다. 앞서 마이크론이 지난 7월 232단 낸드를 최초로 양산했다고 밝혔는데, 삼성은 지난 8월 236단 양산을 위한 막바지 절차를 진행중인 것으로 알려졌다. SK하이닉스는 같은 달 더 높은 238단 낸드 개발에 성공했으나 양산은 내년 상반기 쯤 가능할 것으로 예상되고 있다.

7일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 세계 최고 용량의 '1Tb 8세대 V낸드' 양산에 들어간다고 밝혔다. 단수는 공개하지 않았지만, 일각에선 236단에 달하는 현존 최고층일 것이란 시각도 있다. 삼성전자 관계자는 "정확한 단수는 확인해드리기 어렵다"면서도 "200단 이상 단수는 맞다"고 밝혔다.

전원이 들어오지 않아도 정보를 저장하는 메모리반도체인 낸드플래시는 반도체를 여러 겹으로 쌓는 '적층' 경쟁이 한창이다 . 메모리 셀을 높이 쌓는 '적층'은 단수가 높아질수록 이에 비례해 단위 면적당 생산성이 높아지고, 동일한 칩 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 파운드리(반도체 위탁생산) 분야의 초미세 공정 경쟁과 유사하다.

앞서 삼성전자는 낸드 시장에서 1위를 유지하고 있지만 경쟁사와 점유율 차이가 좁혀지는 상황이다. 마이크론테크놀로지(이하 마이크론), SK하이닉스 등이 첨단 기술과 대규모 투자를 통해 추격에 나섰기 때문이다. 80조원 규모의 글로벌 낸드 시장에서 점유율을 더욱 키우겠다는 것이다.

대만의 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 2분기 낸드 시장 점유율은 33.0%로 전분기보다 2.3%포인트(p) 하락했다. 반면 SK하이닉스는 낸드 자회사 솔리다임과 시너지가 본격화되며 점유율은 1분기 18.0%에서 2분기 19.9%로 1.9%p 상승해 일본 키옥시아를 제치고 2위를 차지했다.

SK하이닉스는 지난해 말 인텔의 낸드플래시 사업부 인수 1단계를 완료해 중국 다롄에 위치한 인텔 낸드 공장을 양도받게 됐다. 회사는 SSD 사업을 이어갈 자회사인 솔리다임도 미국에 신설했다. 회사는 2025년에 추가로 20억달러를 지급해 낸드플래시 웨이퍼 연구·개발(R&D)과 다롄 공장 운영 인력을 비롯한 관련 유·무형자산을 이전받을 예정이다. 

낸드 적층 경쟁에도 참전하고 있다. SK하이닉스는 지난 8월 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했고, 내년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 회사 측은 당시 "2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다"며 "238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다"고 밝혔다.

마이크론은 2분기 기준 점유율 5위지만 기업용 SSD 출하량 증가에 힘입어 매출은 전 분기 대비 16.9% 늘어났다. 마이크론은 지난 7월 세계 최초로 232단 낸드플래시를 양산했다고 발표했다. 마이크론은 2020년에도 삼성전자보다 먼저 세계 최초로 176단 모바일용 낸드플래시 양산에 들어갔다. 당시 삼성전자는 128단 낸드플래시를 양산하던 상황이었다.

여기에 순위권에 오르지 못한 중국 국유 메모리반도체 업체 YMTC(양쯔메모리)마저 올해 말 세계 최초로 232단 3차원(3D) 낸드를 양산하겠다고 발표했다. 삼성이 8세대 낸드 양산을 발표한 것도 이에 따른 위기 의식이 작용한 것으로 풀이된다. 첨단 기술 개발과 투자로 맹렬히 추격하는 경쟁사 대비 차별화된 수익성을 확보할 것으로 보인다.

삼성전자 관계자는 "D램도 낸드플래시도 세대 별로 개발 로드맵이 있어서 이에 맞춰서 진행한 것"이라며 "위기 의식 때문에 개발한 것은 아니다"라고 설명했다.

[위키리크스한국=최종원 기자]

sus@wikileaks-kr.org

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