삼성전자가 독자 개발한 반도체 핵심 기술을 중국으로 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원 오 씨의 구속영장이 기각됐다.
지난 16일 법조계 및 업계에 따르면, 서울중앙지법 영장전담 이민수 부장판사는 이날 오전 10시 30분께부터 부정경쟁방지법 및 영업 비밀 보호에 관한 법률 위반 혐의를 받고 있는 오 씨에 대해 구속영장을 기각한 것으로 전해졌다.
이 부장판사는 "피의자가 범행에 대해 사실·법리적 측면에서 다투고 있고 현재까지 수사 진행 사항 등 비춰봤을 때 방어권을 보장해 줄 필요성이 있다"고 말했다.
이어 "별다른 범죄 전력이 없고 주거가 일정하며 수사기관의 수사·소환에 성실이 임해 왔다"면서 "관련 증거도 상당수 확보돼 피의자의 심문 태도 등을 감안했을 때 구속의 필요성과 상당성이 인정되기 보기는 어렵다"고 기각 사유를 설명했다.
경찰 관계자에 따르면, 오 씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자로 개발한 20나노 D램 반도체 기술공정도 700여개 등을 중국 반도체 업체 '청두가오전'에 유출한 혐의를 받고 있다.
경찰은 이날 오 씨로부터 압수한 20나노의 상위 기술인 18나노 D램 공정 설계 자료 일부와 16나노 D램 개발 계획 서류를 재판부에 제출했다.
하지만 오씨는 "자료를 유출한 것이 아니라 기억에 의존해 작성한 초안이었다"라고 주장한 것으로 알려졌다.
경찰 관계자는 "청두가오전이 국내 반도체 인력을 대거 빼낸 정황도 포착해 수사를 확대하고 있다"라면서도 "자세한 내용은 수사 진행 중인 사안이라 답변이 어렵다"라고 말했다.
[위키리크스한국=민희원 기자]
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