반도체 전쟁이 한창인 상황에서 삼성전자가 차세대 D램 라인업을 탄탄하게 구축할 전망이다.

4일 한 매체의 보도에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아 실리콘밸리에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 연말에 차세대 D램인 6세대 10나노미터급 D램 양산에 돌입하겠다고 밝힌 것으로 알려졌다.

6세대 D램 개발 소식에 삼성전자 관계자는 "학회에서 발표한 내용"이라면서 "연말에 양산에 들어간다는 것은 맞다"고 전했다.

삼성전자는 지난 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정를 적용한 바 있으며 이번 10나노미터 D램도 개발에 성공하면 세계 최초다.

지난해 5월에는 5세대 10나노미터급 D램 양산에 들어가 조금씩 기술 개발 속도를 올리고 있는 상황이다.

아울러 삼성전자는 멤콘에서 반도체 라인업이 담긴 로드맵을 발표하면서 2026년까지 10나노급 7세대 제품 양산, 그 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 이루겠다고 선언했다.

삼성전자는 6세대 10나노를 비롯해 HBM3E 12단의 상반기 양산에도 속도를 내고 있다. 

[위키리크스한국=안준용 기자]

junyongahn0889@wikileaks-kr.org

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